zawieszenie laptopa i taki numer błędu ze zrzutu : stop.....

[d-o1]

Jak w tytule i nr błędu :
stop:0x0000008E (0xC0000005 , 0x00002EA8 , 0xF60B6578 , 0X0000000)
może ktoś wie za co ten błąd odpowiada , system raczej jest OK gdyż logi były już sprawdzane. dzięki za ew. rady......

[Mike]

Zacznij od przetestowania pamięci memtestem => http://www.memtest86.com/ <test musi trwać kilka godzin>, jeżeli wyskoczy chociaż jeden błąd (error) pamięć jest walnięta i nadaje się tylko do kosza

[d-o1]

czyli RAM , dodam , że zwiechy zaczeły się od kiedy dołożyłem mu kość 128 , wcześniej miał 128 z czego 32 zabrane na grafikę i przy widowsie XP (serio tak miał - XP i 96 RAM-u) wogóle chodził jak żółw - i teraz problem która kość ? testu Memtestem raczej nie zrobię bo nie działa mi CD Rom - dam jeszcze zrzuty z Everesta , może coś pomogą :
1-sza kość :

Pole Wartość
Właściwości modułu pamięci
Nazwa modułu RM28P261TA-21BL
Numer seryjny Brak
Rozmiar modułu 128 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane

oraz 2-ga , dołożona przezemnie :

Pole Wartość
Właściwości modułu pamięci
Numer seryjny Brak
Rozmiar modułu 128 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Normalna (15.625 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane

[gulek]

testu Memtestem raczej nie zrobię bo nie działa mi CD Rom

memtesta robi sie z dyskietki a nie z CD Romu

[d-o1]

zauważyłem coś takiego :

Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

i

Szybkość odświeżania Normalna (15.625 us), Self-Refresh

czy to nie powoduje jakichś konfliktów?

[Tom@szek]

Jeśli te kości są różnych producentów mają prawo się gryźć - czyli robić konflikty jak napisałeś wyżej.

[MUTOPOMPKA]

czy to nie powoduje jakichś konfliktów?

Tak.. Po prosru jedna pamięć odświeżana jest z czasem 7.8 ns a druga 2x wolniej. To może prowadzić do błędów 0x8E, czyli w tym wypadku:

a) przetestuj memtestem po 1 kości pamięci (osobno). Jeśli nie będzie błędów przetestuj je razem. Gdy pojawią się błędy niestety musisz wywalić jedną z kości...

Autor postu otrzymał pochwałę

[Mike]

dy pojawią się błędy niestety musisz wywalić jedną z kości...

przez wywalić chodzi o to, że masz wstawić taką, żeby była zgodność *jeżeli te dwie fkatycznie będą się gryzły)

Autor postu otrzymał pochwałę

[d-o1]

przetestuj memtestem po 1 kości pamięci (osobno). Jeśli nie będzie błędów przetestuj je razem. Gdy pojawią się błędy niestety musisz wywalić jedną z kości...

ok - biorę się więc za testy ....... dam znać jakbędzie wynik .

[ Dodano: Dzisiaj o 16:38 ]
po testach ......... testowane razem dały kilka błędów , oddzielnie - nie . Więc wszystko jasne , jedna pamięć do wymiany . Dzięki za wskazówki - pozdrawiam.