Oto raport z Everesta na temat pamięci:
DIMM1: BDU03264B5BC1DC-50 ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu BDU03264B5BC1DC-50
Numer seryjny 068C1500h (1412102)
Data produkcji Tydzień 26 / 2004
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Obsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
[ DIMM2: MDT Tech. MDT512M PC400 CL2. ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu MDT Tech. MDT512M PC400 CL2.
Numer seryjny A92B2007h (119548841)
Data produkcji Tydzień 41 / 2004
Rozmiar modułu 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.0-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
[ DIMM3: BDU03264B5BC1DC-50 ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu BDU03264B5BC1DC-50
Numer seryjny 069B1500h (1415942)
Data produkcji Tydzień 26 / 2004
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-9-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Obsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
[ Dodano: Dzisiaj o 15:23 ] Sorry, że piszę jeden pod drugim ale mam prośbe abyście mi powiedzieli czy opłaca sie zmienić pamięć na markową czy pozostać przy tych kościach które mam. Aha i czy dołożenie drugiego giga przyniesie poprawe przy pentium 3Ghz presscot?
z góry dzięki

Intel Pentium 4 3 Ghz, Asus P4P800-VM, [s] Radeon 9600[/s],SAPPHIRE Radeon 1950 pro , 1 GB DDR, Creative SB X-Fi XtremeMusic/Platinum, Maxtor 76 GB, LITE-ON DVDRW SHW-16H5S, Logitech Z-2300 THX