Domber napisał(a):[ DIMM1: GR400D64L3/512 ]
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
[DIMM2: 256 MB PC3200 DDR SDRAM ]
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Jak widzisz, masz 2 kości pamięci, przy działającej magistrali na 200MHz (efektywnie 400MHz bo to DDR) działają na różnych Cycle Lenght (CL)
Pierwsza działa na CL = 3, a druga na CL = 2.5
I to może być przyczyną "niewyróbek" systemu.
Do tego sprawę komplikuje także fakt, że bios widząc, że pamięć 512 jest w 1 slocie ustawia "od razu" wszystkie pamięci na CL=3. A to już może powodować "niestabilne" i wadliwe działanie tych pamięci. Do tego mogą się ze sobą "gryźć"...
bartgw napisał(a):Być może mam banalny problem, ale muszę znaleźć odpowiedż na takie pytanie :
Wynik w Evereście wygląda następująco:
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-4-4-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Moje pytanie brzmi: Co to oznacza i co spowoduje zmiana wartości tych danych?
Jakie są korzyści a jakie wady tych zmian?
No to rozbrajamy to, co opisuje Everest (Aida):
200, 166, 133 MHz - częstotliwość pracy magistrali pamięci (efektywnie 400MHz, 333 i 266 bo to DDR)
3.0, 2.5, 2.0 - CAS latency, czyli minimalne opóźnienie sygnału wybrania kolumny w matrycy pamięci. Większość modułów SDRAM ma w SPD wpisane CL=3, jednak moduły nawet średniej klasy z reguły pracują poprawnie również przy CL=2 jaki i CL = 2,5
4-4-8 itp. są to odpowiednio ustawione opóźnienia sygnałów dot. pracy pamięci. Nie będę się tu rozpisywał ich znaczenia, bo naprawdę pisania byłoby wbród.
Co do korzyści i wad: Hmm... Im mniejsze CL tym szybciej działają pamięci, im mniejsze parametry opóźnień tym działanie szybsze (wymiana danych)... Co do wad.. Nie każda pamięć da się ustawić tak, aby chodziła "na wyżyłowanych" parametrach.
To tyle.