Yaku napisał(a):CL - to czas dostępu?
Parametry pamięci to:
- Kod: Zaznacz wszystko
Taktowanie pamięci:
CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 6T
I tak:
CAS Latency: to są opóźnienia, które określają liczbę cykli zegara magistrali, jakie mijają od wydania przez procesor polecenia aktywacji wybierania kolumny, do momentu przekazania danych do bufora w kontrolerze pamięci. Producenci pamięci często podają najlepszą wartość opóźnienia jako CL
RAS To CAS Delay (tRCD): określa, ile taktów zegara jest wymagana po wykonaniu polecenia CAS i zlokalizowania w ten sposób potrzebnej kolumny, do wykonania ładowania RAS
RAS Precharge (tRP): określa liczbę taktów zegara, jaka jest potrzebna do przywrócenia danym ich pierwotnej lokalizacji, zamknięcia banku lub też liczbę cykli wymaganą do stronicowania pamięci przed wykonaniem kolejnego polecenia aktywacji banku.
RAS Active Time (tRAS): określa natomiast ilość cykli wymaganych do wykonania komendy aktywacji jednego z banków pamięci, zanim załadowanie adresu wiersza może zostać wykonane.
jak więc widzisz, to są podstawowe parametry pamięci... Ten przykład odnosi się do mojej pamięci, jaką jest 256MB SDRAM 133MHz.